等離子處理機的刻蝕工藝改變氮化硅層的形態(tài)原理：
    crf等離子處理機可實現(xiàn)清洗、活化、蝕刻和表面涂層等功能，依據(jù)需要處理的材料不同，可達到不同的處理效果。半導體工業(yè)中使用的等離子處理機主要有等離子蝕刻、顯影、去膠、封裝等。在半導體集成電路中，真空等離子體清洗機的刻蝕工藝，既能刻蝕表面層的光刻膠，又能刻蝕底層的氮化硅層，通過調(diào)整部分參數(shù)，就可以形成一定的氮化硅層形貌，即側(cè)壁的蝕刻傾斜度。

   1、氮化硅材的特性：
    氮化硅酸鹽是一種新型的炙手可熱的材料，它具有密度小、硬度大、高彈性模量和熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點，在許多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。氮化硅可以代替氧化硅在晶圓制造中使用，因為它的硬度高，可以在晶圓表面形成非常薄的氮化硅薄膜(在硅片制造中，常用的描述薄膜厚度的單位是埃)，厚度大約在幾十埃左右，可以保護表面，避免劃傷，另外它突出的絕緣強度和抗氧化能力也能很好地達到隔離效果。它的不足之處是流動性不如氧化物，刻蝕困難，采用等離子處理機技術(shù)可以克服刻蝕困難。
    2、等離子處理機原理及應(yīng)用：
等離子體腐蝕是通過化學或物理作用，或物理與化學的聯(lián)合作用來實現(xiàn)的。反應(yīng)室內(nèi)氣體的輝光放電，包括離子、電子和游離基等活性物質(zhì)的等離子體，通過擴散作用在介質(zhì)表面吸附，并與其表面原子進行化學反應(yīng)，形成揮發(fā)性物質(zhì)。在一定壓力下，高能量離子還對介質(zhì)表面進行物理轟擊和腐蝕，以去除再沉積反應(yīng)產(chǎn)物和聚合物。使用物理化學的聯(lián)合作用，完成對介質(zhì)層的蝕刻。